Memorias F-RAM RAMTRON
Las memorias ferroeléctricas Ramtron FRAM combinan la capacidad de almacenamiento de las memorias no volátiles con los beneficios de las volátiles.
Características:
- Virtualmente ilimitadas escrituras.
- Bajo consumo (pueden consumir tan solo 2 V en el proceso de escritura).
- Capacidad de almacenar datos instantáneamente cuando ocurre un corte de energía evitando baterías de back up.
- Alta velocidad de lectura y escritura.
Una memoria de tipo FRAM posee internamente una estructura similar a una DRAM (RAM dinámicas), pero el almacenamiento de la información se realiza mediante el aprovechamiento de un efecto ferroeléctrico, por oposición a la conservación de la carga del capacitor intrínseco de una compuerta flotante en una RAM dinámica.
En vez de almacenar carga eléctrica en este capacitor, como en una DRAM, las memorias ferroeléctricas almacenan la información en forma de uno de dos estados estables de esa estructura cristalina. Dichos estados son estables, de modo que la FRAM no necesita refresco ni presencia de ningún campo eléctrico para retener la información grabada.